+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G800N06H
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G800N06H
G800N06H
N60V, 3A,RD<80M@10V,VTH0.7V~1.2V
G800N06H
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Goford Semiconductor
N60V, 3A,RD<80M
-
Лента и катушка (TR)
8895
1
: $0.1000
: 8895

1

$0.4400

$0.4400

10

$0.3100

$3.1000

100

$0.1600

$16.0000

500

$0.1400

$70.0000

1000

$0.1100

$110.0000

2500

$0.1000

$250.0000

5000

$0.1000

$500.0000

12500

$0.0800

$1,000.0000

25000

$0.0800

$2,000.0000

62500

$0.0700

$4,375.0000

125000

$0.0700

$8,750.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G800N06H
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G800N06H
G800N06H
-
Goford Semiconductor
N60V, 3A,RD<80M
-
Лента и катушка (TR)
8895
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGoford Semiconductor
РядTrenchFET®
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-261-4, TO-261AA
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C3A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs80mOhm @ 3A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)1.2W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id1.2V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаSOT-223
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)60 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs6 nC @ 4.5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds457 pF @ 30 V
captcha

+86-15869849588
0