| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Ряд | - |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | TO-220-2 |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 0 ns |
| Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Емкость @ Вр, Ф | 520pF @ 1V, 1MHz |
| Ток – средний выпрямленный (Io) | 10A |
| Пакет устройств поставщика | TO-220-2 |
| Рабочая температура - соединение | -55°C ~ 175°C |
| Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | 1200 V |
| Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | 1.8 V @ 10 A |
| Ток – обратная утечка @ Vr | 40 µA @ 1200 V |
