+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GC120N65QF
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GC120N65QF
GC120N65QF
MOSFET N-CH 650V 30A TO-247
GC120N65QF
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Goford Semiconductor
MOSFET N-CH 650
-
Трубка
6530
1
: $6.5200
: 6530

1

$6.5200

$6.5200

10

$5.5900

$55.9000

100

$4.6600

$466.0000

500

$4.1100

$2,055.0000

1000

$3.7000

$3,700.0000

2000

$3.4700

$6,940.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GC120N65QF
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GC120N65QF
GC120N65QF
-
Goford Semiconductor
MOSFET N-CH 650
-
Трубка
6530
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGoford Semiconductor
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-247-3
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C30A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs120mOhm @ 38A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)96.1W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-247
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±30V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs68 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds3100 pF @ 275 V
captcha

+86-15869849588
0