1
$1.8200
$1.8200
10
$1.5100
$15.1000
100
$1.2000
$120.0000
800
$1.0200
$816.0000
1600
$0.8600
$1,376.0000
2400
$0.8200
$1,968.0000
5600
$0.7900
$4,424.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Goford Semiconductor |
| Ряд | SGT |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 120A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 30A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 180W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | TO-263 |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 100 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 4198 pF @ 50 V |
