+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT080N08D5
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT080N08D5
GT080N08D5
N85V,65A,RD<8.5M@10V,VTH2.0V~4.0
GT080N08D5
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Goford Semiconductor
N85V,65A,RD<8.5
-
Лента и катушка (TR)
6500
1
: $0.3500
: 6500

5000

$0.3500

$1,750.0000

10000

$0.3300

$3,300.0000

25000

$0.3300

$8,250.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT080N08D5
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT080N08D5
GT080N08D5
-
Goford Semiconductor
N85V,65A,RD<8.5
-
Лента и катушка (TR)
6500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGoford Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerTDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C65A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs8mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)69W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 250µA
Пакет устройств поставщика8-DFN (4.9x5.75)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)85 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs39 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1885 pF @ 50 V
captcha

+86-15869849588
0