+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE19N60L
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE19N60L
ICE19N60L
Superjunction MOSFET
ICE19N60L
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
IceMOS Technology
Superjunction M
-
Лента и катушка (TR)
12500
: $2.4800
: 12500

3000

$2.4800

$7,440.0000

9000

$2.3200

$20,880.0000

15000

$2.1200

$31,800.0000

21000

$1.9400

$40,740.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE19N60L
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE19N60L
ICE19N60L
-
IceMOS Technology
Superjunction M
-
Лента и катушка (TR)
12500
NO
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIceMOS Technology
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс4-PowerTSFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C19A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs220mOhm @ 9.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)236W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id3.9V @ 250µA
Пакет устройств поставщика4-DFN (8x8)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)600 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs59 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2064 pF @ 25 V
captcha

+86-15869849588
0