+86-15869849588
  • image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>IMD8AT108
  • image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>IMD8AT108
IMD8AT108
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
IMD8AT108
Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением
ROHM Semiconductor
TRANS NPN/PNP P
-
Лента и катушка (TR)
6500
1
: $0.1000
: 6500

3000

$0.1000

$300.0000

6000

$0.1000

$600.0000

9000

$0.0900

$810.0000

30000

$0.0900

$2,700.0000

75000

$0.0800

$6,000.0000

image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>IMD8AT108
image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>IMD8AT108
IMD8AT108
-
ROHM Semiconductor
TRANS NPN/PNP P
-
Лента и катушка (TR)
6500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительROHM Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаNOT_FOR_NEW_DESIGNS
Пакет/кейсSC-74, SOT-457
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистора1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Мощность - Макс.300mW
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)100mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)50V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 5mA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V
Резистор — база (R1)47kOhms
Пакет устройств поставщикаSMT6
captcha

+86-15869849588
0