+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IV1Q12050T3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IV1Q12050T3
IV1Q12050T3
SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
IV1Q12050T3
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Inventchip Technology
SIC MOSFET, 120
-
Трубка
6500
1
: $36.0600
: 6500

1

$36.0600

$36.0600

10

$32.0500

$320.5000

100

$28.0300

$2,803.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IV1Q12050T3
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IV1Q12050T3
IV1Q12050T3
-
Inventchip Technology
SIC MOSFET, 120
-
Трубка
6500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительInventchip Technology
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-247-3
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииSiCFET (Silicon Carbide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C58A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs65mOhm @ 20A, 20V
Рассеиваемая мощность (макс.)327W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id3.2V @ 6mA
Пакет устройств поставщикаTO-247-3
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)20V
ВГС (Макс)+20V, -5V
Напряжение стока к источнику (Vdss)1200 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs120 nC @ 20 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2770 pF @ 800 V
captcha

+86-15869849588
0