+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IXFH32N50
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IXFH32N50
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IXFH32N50
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IXFH32N50
IXFH32N50
MOSFET N-CH 500V 32A TO247AD
IXFH32N50
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Littelfuse / IXYS RF
MOSFET N-CH 500
-
Трубка
6500
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IXFH32N50
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IXFH32N50
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IXFH32N50
IXFH32N50
-
Littelfuse / IXYS RF
MOSFET N-CH 500
-
Трубка
6500
NO
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительLittelfuse / IXYS RF
РядHiPerFET™
УпаковкаТрубка
Статус продуктаOBSOLETE
Пакет/кейсTO-247-3
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C32A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs150mOhm @ 15A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)360W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 4mA
Пакет устройств поставщикаTO-247AD (IXFH)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)500 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs300 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds5700 pF @ 25 V
captcha

+86-15869849588
0