+86-15869849588
  • image of Одиночные биполярные транзисторы>MMBT3904
  • image of Одиночные биполярные транзисторы>MMBT3904
MMBT3904
200MA SILICON NPN EPITAXIAL PLAN
MMBT3904
Одиночные биполярные транзисторы
Anbon Semiconductor
200MA SILICON N
-
Лента и катушка (TR)
230095
1
: $0.0100
: 230095

1

$0.1000

$0.1000

10

$0.0500

$0.5000

100

$0.0300

$3.0000

500

$0.0200

$10.0000

1000

$0.0100

$10.0000

3000

$0.0100

$30.0000

6000

$0.0100

$60.0000

9000

$0.0100

$90.0000

30000

$0.0100

$300.0000

75000

$0.0100

$750.0000

150000

$0.0100

$1,500.0000

image of Одиночные биполярные транзисторы>MMBT3904
image of Одиночные биполярные транзисторы>MMBT3904
MMBT3904
-
Anbon Semiconductor
200MA SILICON N
-
Лента и катушка (TR)
230095
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительAnbon Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистораNPN
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic300mV @ 5mA, 50mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)50nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 1V
Частота – переход250MHz
Пакет устройств поставщикаSOT-23
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)200 mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)40 V
Мощность - Макс.300 mW
captcha

+86-15869849588
0