+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>NVMFS6H836NT3G
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>NVMFS6H836NT3G
NVMFS6H836NT3G
T8 80V SO8FL
NVMFS6H836NT3G
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Sanyo Semiconductor/onsemi
T8 80V SO8FL
-
Лента и катушка (TR)
11500
1
: $0.5500
: 11500

1

$1.4000

$1.4000

10

$1.1500

$11.5000

100

$0.8900

$89.0000

500

$0.7500

$375.0000

1000

$0.6100

$610.0000

2000

$0.5800

$1,160.0000

5000

$0.5500

$2,750.0000

10000

$0.5300

$5,300.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>NVMFS6H836NT3G
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>NVMFS6H836NT3G
NVMFS6H836NT3G
-
Sanyo Semiconductor/onsemi
T8 80V SO8FL
-
Лента и катушка (TR)
11500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительSanyo Semiconductor/onsemi
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerTDFN, 5 Leads
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C15A (Ta), 74A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs6.7mOhm @ 15A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)3.7W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 95µA
Пакет устройств поставщика5-DFN (5x6) (8-SOFL)
ОценкаAutomotive
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)80 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs25 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1640 pF @ 40 V
КвалификацияAEC-Q101
captcha

+86-15869849588
0