1402
$0.2100
$294.4200
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | NXP Semiconductors |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 3-XDFN Exposed Pad |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 3.2A (Ta) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 67mOhm @ 3.2A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 400mW (Ta), 8.33W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | DFN1010D-3 |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 295 pF @ 15 V |
