+86-15869849588
2N6211
TRANS PNP 225V 2A TO66
2N6211
Одиночные биполярные транзисторы
Central Semiconductor
TRANS PNP 225V
-
Трубка
6500
1
image of Одиночные биполярные транзисторы>2N6211
2N6211
-
Central Semiconductor
TRANS PNP 225V
-
Трубка
6500
YES
2N6211
BocaSemi
MEDIUM-POWER HIGH VOLTAGE PNP
2N6211
Digitron
3W PNP High Power BJT Transistor
2N6211
Digitron
3W PNP High Power BJT Transistor
2N6211
NJS
Trans GP BJT NPN 80V 2A 3-Pin TO-63
2N6211
Digitron
3W PNP High Power BJT Transistor
2N6211
Digitron
3W PNP High Power BJT Transistor
2N6211
微芯-Microchip
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor
2N6211
Digitron
3W PNP High Power BJT Transistor
2N6211
微芯-Microchip
PNP Transistor
2N6211
微芯-Microchip
PNP Transistor
2N6211
微芯-Microchip
PNP Transistor
2N6211
微芯-Microchip
PNP Transistor
2N6211
微芯-Microchip
PNP Transistor
2N6211
微芯-Microchip
PNP Transistor
2N6211
微芯-Microchip
PNP Transistor
2N6211
微芯-Microchip
PNP Transistor
2N6211
微芯-Microchip
PNP Transistor
2N6211
华新科-Walsin
MLCC
2N6211
华新科-Walsin
MLCC
2N6211
华新科-Walsin
MLCC
2N6211
华新科-Walsin
MLCC
2N6211
BocaSemi
414320
2N6211
Digitron
414317
2N6211
Digitron
414316
2N6211
NJS
414304
2N6211
Digitron
414306
2N6211
Digitron
414307
2N6211
微芯-Microchip
414321
2N6211
Digitron
414315
2N6211
微芯-Microchip
414322
2N6211
微芯-Microchip
414323
2N6211
微芯-Microchip
414324
2N6211
微芯-Microchip
414325
2N6211
微芯-Microchip
414326
2N6211
微芯-Microchip
414327
2N6211
微芯-Microchip
414328
2N6211
微芯-Microchip
414329
2N6211
微芯-Microchip
414330
2N6211
华新科-Walsin
414331
2N6211
华新科-Walsin
414332
2N6211
华新科-Walsin
414333
2N6211
华新科-Walsin
414334
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительCentral Semiconductor
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаOBSOLETE
Пакет/кейсTO-213AA, TO-66-2
Тип монтажаThrough Hole
Тип транзистораPNP
Рабочая Температура-65°C ~ 200°C (TJ)
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic1.4V @ 125mA, 1A
Ток-отсечка коллектора (макс.)5mA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce10 @ 1A, 2.8V
Частота – переход20MHz
Пакет устройств поставщикаTO-66
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)2 A
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)225 V
Мощность - Макс.35 W
captcha

+86-15869849588
0