+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>2N7002EY
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>2N7002EY
2N7002EY
N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
2N7002EY
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Anbon Semiconductor
N-CHANNEL SMD M
-
Лента и катушка (TR)
24124
1
: $0.1400
: 24124

1

$0.1400

$0.1400

10

$0.1000

$1.0000

100

$0.0500

$5.0000

500

$0.0400

$20.0000

1000

$0.0300

$30.0000

3000

$0.0200

$60.0000

6000

$0.0200

$120.0000

9000

$0.0200

$180.0000

30000

$0.0200

$600.0000

75000

$0.0200

$1,500.0000

150000

$0.0100

$1,500.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>2N7002EY
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>2N7002EY
2N7002EY
-
Anbon Semiconductor
N-CHANNEL SMD M
-
Лента и катушка (TR)
24124
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительAnbon Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C340mA (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs5Ohm @ 300mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)350mW (Ta)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаSOT-23
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)60 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs2.4 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds18 pF @ 30 V
captcha

+86-15869849588
0