+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>2SK536-TB-E
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>2SK536-TB-E
2SK536-TB-E
N-CHANNEL ENHANCEMENT MOS SILICO
2SK536-TB-E
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Sanyo
N-CHANNEL ENHAN
-
Масса
10750
: $0.2100
: 10750

1412

$0.2100

$296.5200

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>2SK536-TB-E
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>2SK536-TB-E
2SK536-TB-E
-
Sanyo
N-CHANNEL ENHAN
-
Масса
10750
NO
Параметры продукции 
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительSanyo
Ряд-
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура125°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C100mA (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs20Ohm @ 10mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)200mW (Ta)
Пакет устройств поставщика3-CP
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±12V
Напряжение стока к источнику (Vdss)50 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds15 pF @ 10 V
captcha

+86-15869849588
0