+86-15869849588
  • image of Память>71V35761S200BG
  • image of Память>71V35761S200BG
71V35761S200BG
IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA
71V35761S200BG
Память
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4.5MBIT
-
Поднос
6670
: $3.6100
: 6670

84

$3.6100

$303.2400

image of Память>71V35761S200BG
image of Память>71V35761S200BG
71V35761S200BG
-
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4.5MBIT
-
Поднос
6670
NO
71V35761S200BG
瑞萨-Renesas
IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA
71V35761S200BG
瑞萨-Renesas
IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA
71V35761S200BG
瑞萨-Renesas
IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA
71V35761S200BG
瑞萨-Renesas
IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA
71V35761S200BG
瑞萨-Renesas
IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA
71V35761S200BG
瑞萨-Renesas
IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA
71V35761S200BG
瑞萨-Renesas
IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA
71V35761S200BG
瑞萨-Renesas
IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA
71V35761S200BG
瑞萨-Renesas
IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA
71V35761S200BG
瑞萨-Renesas
IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA
71V35761S200BG
瑞萨-Renesas
IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA
71V35761S200BG
瑞萨-Renesas
IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA
71V35761S200BG
瑞萨-Renesas
IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA
71V35761S200BG
瑞萨-Renesas
IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA
71V35761S200BG
瑞萨-Renesas
IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA
71V35761S200BG
瑞萨-Renesas
IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA
71V35761S200BG
瑞萨-Renesas
526120
71V35761S200BG
瑞萨-Renesas
526122
71V35761S200BG
瑞萨-Renesas
526124
71V35761S200BG
瑞萨-Renesas
526127
71V35761S200BG
瑞萨-Renesas
526129
71V35761S200BG
瑞萨-Renesas
526131
71V35761S200BG
瑞萨-Renesas
526133
71V35761S200BG
瑞萨-Renesas
526136
71V35761S200BG
瑞萨-Renesas
526139
71V35761S200BG
瑞萨-Renesas
526142
71V35761S200BG
瑞萨-Renesas
526145
71V35761S200BG
瑞萨-Renesas
526147
71V35761S200BG
瑞萨-Renesas
526150
71V35761S200BG
瑞萨-Renesas
526153
71V35761S200BG
瑞萨-Renesas
526155
71V35761S200BG
瑞萨-Renesas
526158
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIDT, Integrated Device Technology Inc
Ряд-
УпаковкаПоднос
Статус продуктаOBSOLETE
Пакет/кейс119-BGA
Тип монтажаSurface Mount
Объем памяти4.5Mbit
Тип памятиVolatile
Рабочая Температура0°C ~ 70°C (TA)
Напряжение питания3.135V ~ 3.465V
ТехнологииSRAM - Synchronous, SDR
Тактовая частота200 MHz
Формат памятиSRAM
Пакет устройств поставщика119-PBGA (14x22)
Интерфейс памятиParallel
Время доступа3.1 ns
Организация памяти128K x 36
Программируемый DigiKeyNot Verified
captcha

+86-15869849588
0