+86-15869849588
A5G21H605W19NR3
RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4
A5G21H605W19NR3
РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
NXP Semiconductors
RF MOSFET LDMOS
-
Лента и катушка (TR)
6500
image of РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы>A5G21H605W19NR3
A5G21H605W19NR3
-
NXP Semiconductors
RF MOSFET LDMOS
-
Лента и катушка (TR)
6500
NO
A5G21H605W19NR3
恩智浦-NXP
2110-2200 MHz, 85 W Avg., 48 V Airfast® RF Power GaN Transistor
A5G21H605W19NR3
恩智浦-NXP
276018
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительNXP Semiconductors
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсOM-780-4S4S
Тип монтажаSurface Mount
Частота2.11GHz ~ 2.2GHz
Выходная мощность85W
Прирост15.1dB
ТехнологииGaN
Пакет устройств поставщикаOM-780-4S4S
Напряжение - номинальное125 V
Напряжение - Тест48 V
Текущий — Тест300 mA
captcha

+86-15869849588
0