+86-15869849588
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>ALD1101PAL
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>ALD1101PAL
ALD1101PAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
ALD1101PAL
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Advanced Linear Devices, Inc.
MOSFET 2N-CH 10
-
Трубка
6585
1
: $8.2500
: 6585

1

$8.2500

$8.2500

50

$6.5800

$329.0000

100

$5.8900

$589.0000

500

$5.2000

$2,600.0000

1000

$4.6800

$4,680.0000

2000

$4.3800

$8,760.0000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>ALD1101PAL
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>ALD1101PAL
ALD1101PAL
-
Advanced Linear Devices, Inc.
MOSFET 2N-CH 10
-
Трубка
6585
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительAdvanced Linear Devices, Inc.
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажаThrough Hole
Конфигурация2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Рабочая Температура0°C ~ 70°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.500mW
Напряжение стока к источнику (Vdss)10.6V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs75Ohm @ 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id1V @ 10µA
Пакет устройств поставщика8-PDIP
captcha

+86-15869849588
0