+86-15869849588
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>ALD110900APAL
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>ALD110900APAL
ALD110900APAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
ALD110900APAL
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Advanced Linear Devices, Inc.
MOSFET 2N-CH 10
-
Трубка
6500
1
: $6.4900
: 6500

1

$8.1200

$8.1200

50

$6.4900

$324.5000

100

$5.8000

$580.0000

500

$5.1200

$2,560.0000

1000

$4.6100

$4,610.0000

2000

$4.3200

$8,640.0000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>ALD110900APAL
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>ALD110900APAL
ALD110900APAL
-
Advanced Linear Devices, Inc.
MOSFET 2N-CH 10
-
Трубка
6500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительAdvanced Linear Devices, Inc.
РядEPAD®, Zero Threshold™
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажаThrough Hole
Конфигурация2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Рабочая Температура0°C ~ 70°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.500mW
Напряжение стока к источнику (Vdss)10.6V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2.5pF @ 5V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs500Ohm @ 4V
Vgs(th) (Макс) @ Id10mV @ 1µA
Пакет устройств поставщика8-PDIP
captcha

+86-15869849588
0