+86-15869849588
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>ALD110914PAL
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>ALD110914PAL
ALD110914PAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
ALD110914PAL
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Advanced Linear Devices, Inc.
MOSFET 2N-CH 10
-
Трубка
6500
1
: $5.3200
: 6500

50

$5.3200

$266.0000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>ALD110914PAL
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>ALD110914PAL
ALD110914PAL
-
Advanced Linear Devices, Inc.
MOSFET 2N-CH 10
-
Трубка
6500
YES
ALD110914PAL
ALD
Mosfet Arrays
ALD110914PAL
ALD
398218
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительAdvanced Linear Devices, Inc.
РядEPAD®
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажаThrough Hole
Конфигурация2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Рабочая Температура0°C ~ 70°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.500mW
Напряжение стока к источнику (Vdss)10.6V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C12mA, 3mA
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2.5pF @ 5V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs500Ohm @ 5.4V
Vgs(th) (Макс) @ Id1.42V @ 1µA
Пакет устройств поставщика8-PDIP
captcha

+86-15869849588
0