+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>AS1M025120P
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>AS1M025120P
AS1M025120P
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
AS1M025120P
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Anbon Semiconductor
N-CHANNEL SILIC
-
Трубка
6624
1
: $38.0300
: 6624

1

$38.0300

$38.0300

10

$33.8000

$338.0000

100

$29.5600

$2,956.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>AS1M025120P
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>AS1M025120P
AS1M025120P
-
Anbon Semiconductor
N-CHANNEL SILIC
-
Трубка
6624
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительAnbon Semiconductor
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-247-3
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииSiCFET (Silicon Carbide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C90A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs34mOhm @ 50A, 20V
Рассеиваемая мощность (макс.)463W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 15mA
Пакет устройств поставщикаTO-247-3
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)20V
ВГС (Макс)+25V, -10V
Напряжение стока к источнику (Vdss)1200 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs195 nC @ 20 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds3600 pF @ 1000 V
captcha

+86-15869849588
0