+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>AS1M080120P
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>AS1M080120P
AS1M080120P
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
AS1M080120P
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Anbon Semiconductor
N-CHANNEL SILIC
-
Трубка
6592
1
: $11.5100
: 6592

1

$11.5100

$11.5100

10

$10.1400

$101.4000

100

$8.7700

$877.0000

500

$7.9500

$3,975.0000

1000

$7.2900

$7,290.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>AS1M080120P
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>AS1M080120P
AS1M080120P
-
Anbon Semiconductor
N-CHANNEL SILIC
-
Трубка
6592
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительAnbon Semiconductor
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-247-3
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииSiCFET (Silicon Carbide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C36A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs98mOhm @ 20A, 20V
Рассеиваемая мощность (макс.)192W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 5mA
Пакет устройств поставщикаTO-247-3
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)20V
ВГС (Макс)+25V, -10V
Напряжение стока к источнику (Vdss)1200 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs79 nC @ 20 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1475 pF @ 1000 V
captcha

+86-15869849588
0