+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>AS2312
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>AS2312
AS2312
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
AS2312
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Anbon Semiconductor
N-CHANNEL ENHAN
-
Лента и катушка (TR)
28936
1
: $0.2700
: 28936

1

$0.2700

$0.2700

10

$0.1900

$1.9000

100

$0.0900

$9.0000

500

$0.0800

$40.0000

1000

$0.0500

$50.0000

3000

$0.0500

$150.0000

6000

$0.0400

$240.0000

9000

$0.0400

$360.0000

30000

$0.0300

$900.0000

75000

$0.0300

$2,250.0000

150000

$0.0300

$4,500.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>AS2312
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>AS2312
AS2312
-
Anbon Semiconductor
N-CHANNEL ENHAN
-
Лента и катушка (TR)
28936
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительAnbon Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C6.8A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс.)1.2W (Ta)
Vgs(th) (Макс) @ Id1V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаSOT-23
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)1.8V, 4.5V
ВГС (Макс)±10V
Напряжение стока к источнику (Vdss)20 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs11.05 nC @ 4.5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds888 pF @ 10 V
captcha

+86-15869849588
0