+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>AS2M040120P
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>AS2M040120P
AS2M040120P
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
AS2M040120P
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Anbon Semiconductor
N-CHANNEL SILIC
-
Масса
6550
1
: $20.6900
: 6550

1

$20.6900

$20.6900

10

$18.3900

$183.9000

100

$16.0800

$1,608.0000

500

$13.7200

$6,860.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>AS2M040120P
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>AS2M040120P
AS2M040120P
-
Anbon Semiconductor
N-CHANNEL SILIC
-
Масса
6550
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительAnbon Semiconductor
Ряд-
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-247-3
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииSiCFET (Silicon Carbide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C60A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs55mOhm @ 40A, 20V
Рассеиваемая мощность (макс.)330W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 10mA
Пакет устройств поставщикаTO-247-3
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)20V
ВГС (Макс)+25V, -10V
Напряжение стока к источнику (Vdss)1200 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs142 nC @ 20 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2946 pF @ 1000 V
captcha

+86-15869849588
0