+86-15869849588
  • image of Память>BY25Q128ASWIG(R)
  • image of Память>BY25Q128ASWIG(R)
BY25Q128ASWIG(R)
128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
BY25Q128ASWIG(R)
Память
BYTe Semiconductor
128 MBIT, 3.0V
-
Лента и катушка (TR)
6500
1
: $0.8300
: 6500

3000

$0.8300

$2,490.0000

6000

$0.8000

$4,800.0000

image of Память>BY25Q128ASWIG(R)
image of Память>BY25Q128ASWIG(R)
BY25Q128ASWIG(R)
-
BYTe Semiconductor
128 MBIT, 3.0V
-
Лента и катушка (TR)
6500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительBYTe Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-WDFN Exposed Pad
Тип монтажаSurface Mount
Объем памяти128Mbit
Тип памятиNon-Volatile
Рабочая Температура-40°C ~ 85°C (TA)
Напряжение питания2.7V ~ 3.6V
ТехнологииFLASH - NOR (SLC)
Тактовая частота108 MHz
Формат памятиFLASH
Пакет устройств поставщика8-WSON (5x6)
Время цикла записи — Word, Page50µs, 2.4ms
Интерфейс памятиSPI - Quad I/O
Время доступа7 ns
Организация памяти16M x 8
captcha

+86-15869849588
0