+86-15869849588
  • image of Память>BY25Q128ESWIG(R)
  • image of Память>BY25Q128ESWIG(R)
BY25Q128ESWIG(R)
128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
BY25Q128ESWIG(R)
Память
BYTe Semiconductor
128 MBIT, 3.0V
-
Лента и катушка (TR)
9499
1
: $0.6700
: 9499

1

$1.5700

$1.5700

10

$1.4000

$14.0000

25

$1.3300

$33.2500

100

$1.0900

$109.0000

250

$1.0200

$255.0000

500

$0.9000

$450.0000

1000

$0.7100

$710.0000

3000

$0.6700

$2,010.0000

6000

$0.6300

$3,780.0000

15000

$0.6100

$9,150.0000

image of Память>BY25Q128ESWIG(R)
image of Память>BY25Q128ESWIG(R)
BY25Q128ESWIG(R)
-
BYTe Semiconductor
128 MBIT, 3.0V
-
Лента и катушка (TR)
9499
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительBYTe Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-WDFN Exposed Pad
Тип монтажаSurface Mount
Объем памяти128Mbit
Тип памятиNon-Volatile
Рабочая Температура-40°C ~ 85°C (TA)
Напряжение питания2.7V ~ 3.6V
ТехнологииFLASH - NOR (SLC)
Тактовая частота120 MHz
Формат памятиFLASH
Пакет устройств поставщика8-WSON (5x6)
Время цикла записи — Word, Page60µs, 2.4ms
Интерфейс памятиSPI - Quad I/O
Время доступа7.5 ns
Организация памяти16M x 8
captcha

+86-15869849588
0