+86-15869849588
  • image of Память>BY25Q16BSSIG(R)
  • image of Память>BY25Q16BSSIG(R)
BY25Q16BSSIG(R)
16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
BY25Q16BSSIG(R)
Память
BYTe Semiconductor
16 MBIT, 3.0V (
-
Лента и катушка (TR)
10500
1
: $0.2200
: 10500

1

$0.6100

$0.6100

10

$0.5200

$5.2000

25

$0.4900

$12.2500

100

$0.3900

$39.0000

250

$0.3600

$90.0000

500

$0.3100

$155.0000

1000

$0.2400

$240.0000

2000

$0.2200

$440.0000

6000

$0.2000

$1,200.0000

10000

$0.1900

$1,900.0000

50000

$0.1700

$8,500.0000

image of Память>BY25Q16BSSIG(R)
image of Память>BY25Q16BSSIG(R)
BY25Q16BSSIG(R)
-
BYTe Semiconductor
16 MBIT, 3.0V (
-
Лента и катушка (TR)
10500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительBYTe Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Тип монтажаSurface Mount
Объем памяти16Mbit
Тип памятиNon-Volatile
Рабочая Температура-40°C ~ 85°C (TA)
Напряжение питания2.7V ~ 3.6V
ТехнологииFLASH - NOR (SLC)
Тактовая частота108 MHz
Формат памятиFLASH
Пакет устройств поставщика8-SOP
Время цикла записи — Word, Page50µs, 2.4ms
Интерфейс памятиSPI - Quad I/O, QPI
Время доступа7 ns
Организация памяти2M x 8
captcha

+86-15869849588
0