+86-15869849588
  • image of Память>BY25Q16BSUJG(R)
  • image of Память>BY25Q16BSUJG(R)
BY25Q16BSUJG(R)
16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
BY25Q16BSUJG(R)
Память
BYTe Semiconductor
16 MBIT, 3.0V (
-
Лента и катушка (TR)
6500
1
: $0.1900
: 6500

30000

$0.1900

$5,700.0000

image of Память>BY25Q16BSUJG(R)
image of Память>BY25Q16BSUJG(R)
BY25Q16BSUJG(R)
-
BYTe Semiconductor
16 MBIT, 3.0V (
-
Лента и катушка (TR)
6500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительBYTe Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-UFDFN Exposed Pad
Тип монтажаSurface Mount
Объем памяти16Mbit
Тип памятиNon-Volatile
Рабочая Температура-40°C ~ 105°C (TA)
Напряжение питания2.7V ~ 3.6V
ТехнологииFLASH - NOR (SLC)
Тактовая частота108 MHz
Формат памятиFLASH
Пакет устройств поставщика8-USON (2x3)
Время цикла записи — Word, Page60µs, 4ms
Интерфейс памятиSPI - Quad I/O, QPI
Время доступа7 ns
Организация памяти2M x 8
captcha

+86-15869849588
0