+86-15869849588
  • image of Память>BY25Q256FSSIG(R)
  • image of Память>BY25Q256FSSIG(R)
BY25Q256FSSIG(R)
256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
BY25Q256FSSIG(R)
Память
BYTe Semiconductor
256 MBIT, 3.0V
-
Лента и катушка (TR)
10475
1
: $1.4300
: 10475

1

$2.8500

$2.8500

10

$2.5600

$25.6000

25

$2.4200

$60.5000

100

$2.1000

$210.0000

250

$1.9900

$497.5000

500

$1.7800

$890.0000

1000

$1.5000

$1,500.0000

2000

$1.4300

$2,860.0000

6000

$1.3800

$8,280.0000

image of Память>BY25Q256FSSIG(R)
image of Память>BY25Q256FSSIG(R)
BY25Q256FSSIG(R)
-
BYTe Semiconductor
256 MBIT, 3.0V
-
Лента и катушка (TR)
10475
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительBYTe Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Тип монтажаSurface Mount
Объем памяти256Mbit
Тип памятиNon-Volatile
Рабочая Температура-40°C ~ 85°C (TA)
Напряжение питания2.7V ~ 3.6V
ТехнологииFLASH - NOR (SLC)
Тактовая частота100 MHz
Формат памятиFLASH
Пакет устройств поставщика8-SOP
Время цикла записи — Word, Page50µs, 2.4ms
Интерфейс памятиSPI - Quad I/O, QPI
Время доступа7 ns
Организация памяти32M x 8
captcha

+86-15869849588
0