+86-15869849588
  • image of Память>BY25Q32ESWIG(R)
  • image of Память>BY25Q32ESWIG(R)
BY25Q32ESWIG(R)
32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
BY25Q32ESWIG(R)
Память
BYTe Semiconductor
32 MBIT, 3.0V (
-
Лента и катушка (TR)
6500
1
: $0.8100
: 6500

1

$0.8100

$0.8100

10

$0.7200

$7.2000

25

$0.6700

$16.7500

100

$0.5500

$55.0000

250

$0.5100

$127.5000

500

$0.4300

$215.0000

1000

$0.3500

$350.0000

3000

$0.3100

$930.0000

6000

$0.2900

$1,740.0000

15000

$0.2800

$4,200.0000

30000

$0.2700

$8,100.0000

image of Память>BY25Q32ESWIG(R)
image of Память>BY25Q32ESWIG(R)
BY25Q32ESWIG(R)
-
BYTe Semiconductor
32 MBIT, 3.0V (
-
Лента и катушка (TR)
6500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительBYTe Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-WDFN Exposed Pad
Тип монтажаSurface Mount
Объем памяти32Mbit
Тип памятиNon-Volatile
Рабочая Температура-40°C ~ 85°C (TA)
Напряжение питания2.7V ~ 3.6V
ТехнологииFLASH - NOR (SLC)
Тактовая частота120 MHz
Формат памятиFLASH
Пакет устройств поставщика8-WSON (5x6)
Время цикла записи — Word, Page50µs, 2.4ms
Интерфейс памятиSPI - Quad I/O
Время доступа11.5 ns
Организация памяти4M x 8
captcha

+86-15869849588
0