+86-15869849588
  • image of Память>BY25Q40BSTIG(R)
  • image of Память>BY25Q40BSTIG(R)
BY25Q40BSTIG(R)
4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
BY25Q40BSTIG(R)
Память
BYTe Semiconductor
4 MBIT, 3.0V (2
-
Лента и катушка (TR)
10500
1
: $0.1400
: 10500

1

$0.4900

$0.4900

10

$0.4000

$4.0000

25

$0.3600

$9.0000

100

$0.2700

$27.0000

250

$0.2500

$62.5000

500

$0.2000

$100.0000

1000

$0.1500

$150.0000

4000

$0.1400

$560.0000

8000

$0.1300

$1,040.0000

12000

$0.1200

$1,440.0000

28000

$0.1100

$3,080.0000

image of Память>BY25Q40BSTIG(R)
image of Память>BY25Q40BSTIG(R)
BY25Q40BSTIG(R)
-
BYTe Semiconductor
4 MBIT, 3.0V (2
-
Лента и катушка (TR)
10500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительBYTe Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажаSurface Mount
Объем памяти4Mbit
Тип памятиNon-Volatile
Рабочая Температура-40°C ~ 85°C (TA)
Напряжение питания2.7V ~ 3.6V
ТехнологииFLASH - NOR (SLC)
Тактовая частота108 MHz
Формат памятиFLASH
Пакет устройств поставщика8-SOP
Время цикла записи — Word, Page50µs, 2.4ms
Интерфейс памятиSPI - Quad I/O, QPI
Время доступа7 ns
Организация памяти512K x 8
captcha

+86-15869849588
0