+86-15869849588
  • image of Память>BY25Q64ESSIG(R)
  • image of Память>BY25Q64ESSIG(R)
BY25Q64ESSIG(R)
64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
BY25Q64ESSIG(R)
Память
BYTe Semiconductor
64 MBIT, 3.0V (
-
Лента и катушка (TR)
10190
1
: $0.4800
: 10190

1

$0.6600

$0.6600

10

$0.6000

$6.0000

25

$0.5900

$14.7500

50

$0.5900

$29.5000

100

$0.5300

$53.0000

250

$0.5200

$130.0000

500

$0.5100

$255.0000

1000

$0.5000

$500.0000

2000

$0.4800

$960.0000

4000

$0.4600

$1,840.0000

6000

$0.4500

$2,700.0000

10000

$0.4500

$4,500.0000

14000

$0.4400

$6,160.0000

image of Память>BY25Q64ESSIG(R)
image of Память>BY25Q64ESSIG(R)
BY25Q64ESSIG(R)
-
BYTe Semiconductor
64 MBIT, 3.0V (
-
Лента и катушка (TR)
10190
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительBYTe Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Тип монтажаSurface Mount
Объем памяти64Mbit
Тип памятиNon-Volatile
Рабочая Температура-40°C ~ 85°C (TA)
Напряжение питания2.7V ~ 3.6V
ТехнологииFLASH - NOR (SLC)
Тактовая частота120 MHz
Формат памятиFLASH
Пакет устройств поставщика8-SOP
Время цикла записи — Word, Page50µs, 2.4ms
Интерфейс памятиSPI - Quad I/O
Время доступа11.5 ns
Организация памяти8M x 8
captcha

+86-15869849588
0