+86-15869849588
  • image of Память>BY25Q64ESTIG(R)
  • image of Память>BY25Q64ESTIG(R)
BY25Q64ESTIG(R)
64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
BY25Q64ESTIG(R)
Память
BYTe Semiconductor
64 MBIT, 3.0V (
-
Лента и катушка (TR)
10475
1
: $0.3900
: 10475

1

$0.9200

$0.9200

10

$0.8300

$8.3000

25

$0.7800

$19.5000

100

$0.6400

$64.0000

250

$0.6000

$150.0000

500

$0.5300

$265.0000

1000

$0.4200

$420.0000

4000

$0.3900

$1,560.0000

8000

$0.3700

$2,960.0000

12000

$0.3600

$4,320.0000

28000

$0.3500

$9,800.0000

image of Память>BY25Q64ESTIG(R)
image of Память>BY25Q64ESTIG(R)
BY25Q64ESTIG(R)
-
BYTe Semiconductor
64 MBIT, 3.0V (
-
Лента и катушка (TR)
10475
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительBYTe Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажаSurface Mount
Объем памяти64Mbit
Тип памятиNon-Volatile
Рабочая Температура-40°C ~ 85°C (TA)
Напряжение питания2.7V ~ 3.6V
ТехнологииFLASH - NOR (SLC)
Тактовая частота120 MHz
Формат памятиFLASH
Пакет устройств поставщика8-SOP
Время цикла записи — Word, Page50µs, 2.4ms
Интерфейс памятиSPI - Quad I/O
Время доступа11.5 ns
Организация памяти8M x 8
captcha

+86-15869849588
0