+86-15869849588
  • image of Память>BY25Q80BSMIG(R)
  • image of Память>BY25Q80BSMIG(R)
BY25Q80BSMIG(R)
8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
BY25Q80BSMIG(R)
Память
BYTe Semiconductor
8 MBIT, 3.0V (2
-
Лента и катушка (TR)
36500
1
: $0.1800
: 36500

1

$0.5100

$0.5100

10

$0.4400

$4.4000

25

$0.4100

$10.2500

100

$0.3300

$33.0000

250

$0.3000

$75.0000

500

$0.2600

$130.0000

1000

$0.2000

$200.0000

3000

$0.1800

$540.0000

6000

$0.1700

$1,020.0000

15000

$0.1600

$2,400.0000

30000

$0.1500

$4,500.0000

image of Память>BY25Q80BSMIG(R)
image of Память>BY25Q80BSMIG(R)
BY25Q80BSMIG(R)
-
BYTe Semiconductor
8 MBIT, 3.0V (2
-
Лента и катушка (TR)
36500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительBYTe Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-UFDFN Exposed Pad
Тип монтажаSurface Mount
Объем памяти8Mbit
Тип памятиNon-Volatile
Рабочая Температура-40°C ~ 85°C (TA)
Напряжение питания2.7V ~ 3.6V
ТехнологииFLASH - NOR (SLC)
Тактовая частота108 MHz
Формат памятиFLASH
Пакет устройств поставщика8-USON (2x3)
Время цикла записи — Word, Page50µs, 2.4ms
Интерфейс памятиSPI - Quad I/O, QPI
Время доступа7 ns
Организация памяти1M x 8
captcha

+86-15869849588
0