+86-15869849588
  • image of Память>BY25Q80BSSIG(R)
  • image of Память>BY25Q80BSSIG(R)
BY25Q80BSSIG(R)
8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
BY25Q80BSSIG(R)
Память
BYTe Semiconductor
8 MBIT, 3.0V (2
-
Лента и катушка (TR)
10500
1
: $0.1700
: 10500

1

$0.4700

$0.4700

10

$0.4000

$4.0000

25

$0.3800

$9.5000

100

$0.3000

$30.0000

250

$0.2800

$70.0000

500

$0.2400

$120.0000

1000

$0.1800

$180.0000

2000

$0.1700

$340.0000

6000

$0.1600

$960.0000

10000

$0.1500

$1,500.0000

50000

$0.1300

$6,500.0000

image of Память>BY25Q80BSSIG(R)
image of Память>BY25Q80BSSIG(R)
BY25Q80BSSIG(R)
-
BYTe Semiconductor
8 MBIT, 3.0V (2
-
Лента и катушка (TR)
10500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительBYTe Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Тип монтажаSurface Mount
Объем памяти8Mbit
Тип памятиNon-Volatile
Рабочая Температура-40°C ~ 85°C (TA)
Напряжение питания2.7V ~ 3.6V
ТехнологииFLASH - NOR (SLC)
Тактовая частота108 MHz
Формат памятиFLASH
Пакет устройств поставщика8-SOP
Время цикла записи — Word, Page50µs, 2.4ms
Интерфейс памятиSPI - Quad I/O, QPI
Время доступа7 ns
Организация памяти1M x 8
captcha

+86-15869849588
0