+86-15869849588
  • image of Память>BY25Q80BSTIG(R)
  • image of Память>BY25Q80BSTIG(R)
BY25Q80BSTIG(R)
8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
BY25Q80BSTIG(R)
Память
BYTe Semiconductor
8 MBIT, 3.0V (2
-
Лента и катушка (TR)
10500
1
: $0.1500
: 10500

1

$0.4400

$0.4400

10

$0.3700

$3.7000

25

$0.3500

$8.7500

100

$0.2800

$28.0000

250

$0.2600

$65.0000

500

$0.2200

$110.0000

1000

$0.1700

$170.0000

4000

$0.1500

$600.0000

8000

$0.1400

$1,120.0000

12000

$0.1300

$1,560.0000

28000

$0.1300

$3,640.0000

image of Память>BY25Q80BSTIG(R)
image of Память>BY25Q80BSTIG(R)
BY25Q80BSTIG(R)
-
BYTe Semiconductor
8 MBIT, 3.0V (2
-
Лента и катушка (TR)
10500
YES
BY25Q80BSTIG(R)
博雅-Boyamicro
SPI NOR Flash
BY25Q80BSTIG(R)
博雅-Boyamicro
320077
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительBYTe Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажаSurface Mount
Объем памяти8Mbit
Тип памятиNon-Volatile
Рабочая Температура-40°C ~ 85°C (TA)
Напряжение питания2.7V ~ 3.6V
ТехнологииFLASH - NOR (SLC)
Тактовая частота108 MHz
Формат памятиFLASH
Пакет устройств поставщика8-SOP
Время цикла записи — Word, Page50µs, 2.4ms
Интерфейс памятиSPI - Quad I/O, QPI
Время доступа7 ns
Организация памяти1M x 8
captcha

+86-15869849588
0