+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>CDF56G6511N TR13 PBFREE
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>CDF56G6511N TR13 PBFREE
CDF56G6511N TR13 PBFREE
650V, 11A, N-CHANNEL GAN FET IN
CDF56G6511N TR13 PBFREE
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Central Semiconductor
650V, 11A, N-CH
-
Лента и катушка (TR)
8961
1
: $2.2800
: 8961

1

$4.6800

$4.6800

10

$3.9300

$39.3000

100

$3.1800

$318.0000

500

$2.8300

$1,415.0000

1000

$2.4200

$2,420.0000

2500

$2.2800

$5,700.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>CDF56G6511N TR13 PBFREE
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>CDF56G6511N TR13 PBFREE
CDF56G6511N TR13 PBFREE
-
Central Semiconductor
650V, 11A, N-CH
-
Лента и катушка (TR)
8961
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительCentral Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerVDFN
Тип монтажаSurface Mount, Wettable Flank
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C11.5A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs190mOhm @ 3.9A, 6V
Рассеиваемая мощность (макс.)1.1W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 12.2mA
Пакет устройств поставщика8-DFN (5x6)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)6V
ВГС (Макс)+7V, -1.4V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs2.8 nC @ 6 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds96 pF @ 400 V
captcha

+86-15869849588
0