+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>CDMSJ22029-650 SL
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>CDMSJ22029-650 SL
CDMSJ22029-650 SL
SUPER JUNCTION MOSFETS
CDMSJ22029-650 SL
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Central Semiconductor
SUPER JUNCTION
-
Трубка
6997
1
: $4.1100
: 6997

1

$5.1900

$5.1900

50

$4.1100

$205.5000

100

$3.5300

$353.0000

500

$3.1400

$1,570.0000

1000

$2.6800

$2,680.0000

2000

$2.5300

$5,060.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>CDMSJ22029-650 SL
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>CDMSJ22029-650 SL
CDMSJ22029-650 SL
-
Central Semiconductor
SUPER JUNCTION
-
Трубка
6997
YES
CDMSJ22029-650 SL
伯恩斯-Bourns
电压瞬变抑制二极管数组
CDMSJ22029-650 SL
伯恩斯-Bourns
366779
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительCentral Semiconductor
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-220-3 Full Pack
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C29A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs130mOhm @ 10.8A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)33W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-220FP
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)30V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs51 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1920 pF @ 400 V
captcha

+86-15869849588
0