+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>CGD65A055S2-T07
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>CGD65A055S2-T07
CGD65A055S2-T07
650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W
CGD65A055S2-T07
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Cambridge GaN Devices
650V GAN HEMT,
-
Лента и катушка (TR)
7237
1
: $9.5400
: 7237

1

$15.0600

$15.0600

10

$13.2700

$132.7000

100

$11.4700

$1,147.0000

500

$10.4000

$5,200.0000

1000

$9.5400

$9,540.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>CGD65A055S2-T07
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>CGD65A055S2-T07
CGD65A055S2-T07
-
Cambridge GaN Devices
650V GAN HEMT,
-
Лента и катушка (TR)
7237
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительCambridge GaN Devices
РядICeGaN™
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс16-PowerVDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C27A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs77mOhm @ 2.2A, 12V
Особенность полевого транзистораCurrent Sensing
Vgs(th) (Макс) @ Id4.2V @ 10mA
Пакет устройств поставщика16-DFN (8x8)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)12V
ВГС (Макс)+20V, -1V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs6 nC @ 12 V
captcha

+86-15869849588
0