+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>CGD65A130S2-T13
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>CGD65A130S2-T13
CGD65A130S2-T13
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.
CGD65A130S2-T13
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Cambridge GaN Devices
650V GAN HEMT,
-
Лента и катушка (TR)
9852
1
: $3.3200
: 9852

1

$6.2500

$6.2500

10

$5.3600

$53.6000

100

$4.4600

$446.0000

500

$3.9400

$1,970.0000

1000

$3.5500

$3,550.0000

3500

$3.3200

$11,620.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>CGD65A130S2-T13
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>CGD65A130S2-T13
CGD65A130S2-T13
-
Cambridge GaN Devices
650V GAN HEMT,
-
Лента и катушка (TR)
9852
YES
Параметры продукции 
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительCambridge GaN Devices
РядICeGaN™
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс16-PowerVDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C12A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs182mOhm @ 900mA, 12V
Особенность полевого транзистораCurrent Sensing
Vgs(th) (Макс) @ Id4.2V @ 4.2mA
Пакет устройств поставщика16-DFN (8x8)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)12V
ВГС (Макс)+20V, -1V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs2.3 nC @ 12 V
captcha

+86-15869849588
0