+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DI110N15PQ-AQ
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DI110N15PQ-AQ
DI110N15PQ-AQ
IC
DI110N15PQ-AQ
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Diotec Semiconductor
IC
-
Масса
6500
: $1.6800
: 6500

5000

$1.6800

$8,400.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DI110N15PQ-AQ
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DI110N15PQ-AQ
DI110N15PQ-AQ
-
Diotec Semiconductor
IC
-
Масса
6500
NO
DI110N15PQ-AQ
德欧泰克-Diotec
MOSFETs (Field Effect Transistors)
DI110N15PQ-AQ
德欧泰克-Diotec
354649
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительDiotec Semiconductor
Ряд-
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerTDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C55A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs11.5mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)62.5W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщика8-QFN (5x6)
ОценкаAutomotive
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)150 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs69 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds3700 pF @ 75 V
КвалификацияAEC-Q101
captcha

+86-15869849588
0