+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMN1003UFDE-7
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMN1003UFDE-7
DMN1003UFDE-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
DMN1003UFDE-7
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
MOSFET BVDSS: 8
-
Лента и катушка (TR)
6500
1
: $0.2100
: 6500

3000

$0.2100

$630.0000

6000

$0.2000

$1,200.0000

15000

$0.1800

$2,700.0000

30000

$0.1700

$5,100.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMN1003UFDE-7
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMN1003UFDE-7
DMN1003UFDE-7
-
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
MOSFET BVDSS: 8
-
Лента и катушка (TR)
6500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительZetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс6-PowerUDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C22A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs3mOhm @ 15A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс.)800mW (Ta)
Vgs(th) (Макс) @ Id1V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаU-DFN2020-6 (Type E)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)2.5V, 4.5V
ВГС (Макс)±8V
Напряжение стока к источнику (Vdss)12 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs45 nC @ 8 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2551 pF @ 6 V
captcha

+86-15869849588
0