+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMT34M8LFDE-13
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMT34M8LFDE-13
DMT34M8LFDE-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
DMT34M8LFDE-13
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
MOSFET BVDSS: 2
-
Лента и катушка (TR)
6500
1
: $0.1900
: 6500

10000

$0.1900

$1,900.0000

30000

$0.1800

$5,400.0000

50000

$0.1800

$9,000.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMT34M8LFDE-13
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMT34M8LFDE-13
DMT34M8LFDE-13
-
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
MOSFET BVDSS: 2
-
Лента и катушка (TR)
6500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительZetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс6-PowerUDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C19A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs4mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)1.1W (Ta)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаU-DFN2020-6 (Type E)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)30 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs15.4 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1024 pF @ 15 V
captcha

+86-15869849588
0