+86-15869849588
DMT35M4LPSW-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
DMT35M4LPSW-13
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
MOSFET BVDSS: 2
-
Лента и катушка (TR)
6500
1
: $0.2300
: 6500

2500

$0.2300

$575.0000

5000

$0.2100

$1,050.0000

12500

$0.2000

$2,500.0000

25000

$0.1900

$4,750.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMT35M4LPSW-13
DMT35M4LPSW-13
-
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
MOSFET BVDSS: 2
-
Лента и катушка (TR)
6500
YES
DMT35M4LPSW-13
达尔-Diodes
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
DMT35M4LPSW-13
达尔-Diodes
299719
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительZetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerTDFN
Тип монтажаSurface Mount, Wettable Flank
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C18.9A (Ta), 71.1A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)1.5W (Ta)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаPowerDI5060-8 (Type UX)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)30 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs16 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1029 pF @ 15 V
captcha

+86-15869849588
0