+86-15869849588
  • image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTA114TKAT146
  • image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTA114TKAT146
DTA114TKAT146
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3
DTA114TKAT146
Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
ROHM Semiconductor
TRANS PREBIAS P
-
Лента и катушка (TR)
9610
1
: $0.3100
: 9610

1

$0.3100

$0.3100

10

$0.2100

$2.1000

100

$0.1000

$10.0000

500

$0.0900

$45.0000

1000

$0.0600

$60.0000

3000

$0.0500

$150.0000

6000

$0.0500

$300.0000

9000

$0.0400

$360.0000

30000

$0.0400

$1,200.0000

75000

$0.0300

$2,250.0000

150000

$0.0300

$4,500.0000

image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTA114TKAT146
image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTA114TKAT146
DTA114TKAT146
-
ROHM Semiconductor
TRANS PREBIAS P
-
Лента и катушка (TR)
9610
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
PDF(2)
PDF(3)
PDF(4)
PDF(5)
PDF(6)
PDF(7)
PDF(8)
PDF(9)
PDF(10)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительROHM Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистораPNP - Pre-Biased
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic300mV @ 1mA, 10mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)500nA (ICBO)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V
Пакет устройств поставщикаSMT3
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)100 mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)50 V
Мощность - Макс.200 mW
Частота – переход250 MHz
Резистор — база (R1)10 kOhms
captcha

+86-15869849588
0