+86-15869849588
  • image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTA115EE3TL
  • image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTA115EE3TL
DTA115EE3TL
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
DTA115EE3TL
Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
ROHM Semiconductor
TRANS PREBIAS P
-
Лента и катушка (TR)
9476
1
: $0.0600
: 9476

1

$0.3600

$0.3600

10

$0.2500

$2.5000

100

$0.1300

$13.0000

500

$0.1000

$50.0000

1000

$0.0800

$80.0000

3000

$0.0600

$180.0000

6000

$0.0600

$360.0000

9000

$0.0500

$450.0000

30000

$0.0500

$1,500.0000

75000

$0.0400

$3,000.0000

150000

$0.0400

$6,000.0000

image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTA115EE3TL
image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTA115EE3TL
DTA115EE3TL
-
ROHM Semiconductor
TRANS PREBIAS P
-
Лента и катушка (TR)
9476
YES
DTA115EE3TL
罗姆-ROHM
PNP, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
DTA115EE3TL
罗姆-ROHM
PNP, SOT-416, R1=R2 车载数字晶体管(内置偏置电阻的晶体管)
DTA115EE3TL
罗姆-ROHM
327902
DTA115EE3TL
罗姆-ROHM
327907
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительROHM Semiconductor
РядDTA114Y
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсSC-75, SOT-416
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистораPNP - Pre-Biased
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)500nA (ICBO)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce68 @ 5mA, 5V
Пакет устройств поставщикаEMT3
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)100 mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)50 V
Мощность - Макс.150 mW
Частота – переход250 MHz
Резистор — база (R1)10 kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)47 kOhms
captcha

+86-15869849588
0