+86-15869849588
  • image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTC143EE3HZGTL
  • image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTC143EE3HZGTL
DTC143EE3HZGTL
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
DTC143EE3HZGTL
Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
ROHM Semiconductor
TRANS PREBIAS N
-
Лента и катушка (TR)
8725
: $0.0700
: 8725

1

$0.4000

$0.4000

10

$0.2800

$2.8000

100

$0.1400

$14.0000

500

$0.1200

$60.0000

1000

$0.0900

$90.0000

3000

$0.0700

$210.0000

6000

$0.0700

$420.0000

9000

$0.0600

$540.0000

30000

$0.0600

$1,800.0000

75000

$0.0500

$3,750.0000

150000

$0.0500

$7,500.0000

image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTC143EE3HZGTL
image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTC143EE3HZGTL
DTC143EE3HZGTL
-
ROHM Semiconductor
TRANS PREBIAS N
-
Лента и катушка (TR)
8725
NO
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительROHM Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсSC-75, SOT-416
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистораNPN - Pre-Biased
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)500nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce30 @ 10mA, 5V
Пакет устройств поставщикаEMT3
ОценкаAutomotive
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)100 mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)50 V
Мощность - Макс.150 mW
Частота – переход250 MHz
Резистор — база (R1)4.7 kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)4.7 kOhms
КвалификацияAEC-Q101
captcha

+86-15869849588
0