+86-15869849588
  • image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTC144TU3T106
  • image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTC144TU3T106
DTC144TU3T106
NPN, SOT-323, R1 ALONE TYPE
DTC144TU3T106
Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
ROHM Semiconductor
NPN, SOT-323, R
-
Лента и катушка (TR)
9500
: $0.0700
: 9500

1

$0.3800

$0.3800

10

$0.3200

$3.2000

25

$0.2600

$6.5000

100

$0.1700

$17.0000

250

$0.1300

$32.5000

500

$0.1100

$55.0000

1000

$0.0700

$70.0000

3000

$0.0700

$210.0000

6000

$0.0600

$360.0000

15000

$0.0500

$750.0000

30000

$0.0500

$1,500.0000

75000

$0.0400

$3,000.0000

150000

$0.0400

$6,000.0000

image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTC144TU3T106
image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTC144TU3T106
DTC144TU3T106
-
ROHM Semiconductor
NPN, SOT-323, R
-
Лента и катушка (TR)
9500
NO
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительROHM Semiconductor
РядDTC144T
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсSC-70, SOT-323
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистораNPN - Pre-Biased
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 5mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)500nA (ICBO)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V
Пакет устройств поставщикаUMT3
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)100 mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)50 V
Мощность - Макс.200 mW
Частота – переход250 MHz
Резистор — база (R1)47 kOhms
captcha

+86-15869849588
0