+86-15869849588
  • image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTD543XE3TL
  • image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTD543XE3TL
DTD543XE3TL
TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
DTD543XE3TL
Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
ROHM Semiconductor
TRANS PREBIAS N
-
Лента и катушка (TR)
9500
: $0.3900
: 9500

1

$0.3900

$0.3900

10

$0.3100

$3.1000

100

$0.1800

$18.0000

500

$0.1700

$85.0000

1000

$0.1200

$120.0000

3000

$0.1100

$330.0000

6000

$0.1000

$600.0000

9000

$0.0900

$810.0000

30000

$0.0900

$2,700.0000

75000

$0.0800

$6,000.0000

image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTD543XE3TL
image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTD543XE3TL
DTD543XE3TL
-
ROHM Semiconductor
TRANS PREBIAS N
-
Лента и катушка (TR)
9500
NO
DTD543XE3TL
罗姆-ROHM
NPN, SOT-416, R1≠R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
DTD543XE3TL
罗姆-ROHM
472422
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительROHM Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсSC-75, SOT-416
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистораNPN - Pre-Biased + Diode
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic300mV @ 5mA, 100mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)500nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce140 @ 100mA, 2V
Пакет устройств поставщикаEMT3
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)500 mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)12 V
Мощность - Макс.150 mW
Частота – переход260 MHz
Резистор — база (R1)4.7 kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)10 kOhms
captcha

+86-15869849588
0