+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>E3M0075120J2-TR
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>E3M0075120J2-TR
E3M0075120J2-TR
75m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL
E3M0075120J2-TR
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Wolfspeed
75m, 1200V SiC
-
Лента и катушка (TR)
7150
1
: $11.4200
: 7150

1

$16.5400

$16.5400

10

$14.5700

$145.7000

100

$12.6000

$1,260.0000

800

$11.4200

$9,136.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>E3M0075120J2-TR
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>E3M0075120J2-TR
E3M0075120J2-TR
-
Wolfspeed
75m, 1200V SiC
-
Лента и катушка (TR)
7150
YES
E3M0075120J2-TR
Wolfspeed(CREE)
Discrete Silicon Carbide Schottky Diodes
E3M0075120J2-TR
Wolfspeed(CREE)
532028
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительWolfspeed
РядE
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C34A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs97.5mOhm @ 17.9A, 15V
Рассеиваемая мощность (макс.)172W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id3.8V @ 5mA
Пакет устройств поставщикаTO-263-7
ОценкаAutomotive
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)15V
ВГС (Макс)+19V, -8V
Напряжение стока к источнику (Vdss)1200 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs52 nC @ 15 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1480 pF @ 1000 V
КвалификацияAEC-Q101
captcha

+86-15869849588
0